Sydkorea Samsung serveras först SSD med den sjätte generationen av V-Nand Flash-minneschips (som företaget hänvisar till 3D NAND-minneschips). Den här nya generationens minneskiparkitektur omfattar 100 lager, och enligt tillverkaren lovar den att ge 10% mer prestanda med en 15% minskning av energiförbrukningen.
Beträffande antalet bitar per cell tillhör minneschips TLC-kategorin (tre bitar per cell). Sedan 2013 satsar Samsung på sitt V-NAND-chip. Från den femte till den sjätte generationen behövde företaget bara 13 månader.
Ursprungligen skulle endast en modell med avseende på kapacitet marknadsföras – med 256 GB. I framtiden är Samsung också en variant med 512 GB. En av fördelarna med att använda ett 3D NAND-minneschip i detta staplingsschema är att det kan öka utbudet av lagringskapacitetsalternativ för nykomlingar. Samsung var den första som använde denna staplingsprocess i mer än 100 lager (136-lagers struktur) och avser att gå längre. I framtiden kommer halvledarjätten att satsa på en 300-lager SSD.
“Genom att integrera den senaste 3D-minneteknologin i massproduktionsmodeller kan vi införa ett mycket snabbare och mer energieffektivt minnesområde.“Sa Kye Hyun Kyung, vice ordförande för flashminne och teknik på Samsung Electronics. “Genom att förkorta nästa generations V-NAND produktutvecklingscykel planerar vi att aktivt utöka marknaden för högpresterande, högpresterande V-NAND-lösningar med en kapacitet på 512 gigabit,” sade han. avslutade verkställande direktören.
Pris och tillgänglighet
Samsungs första SSD utrustad med en sjätte generationens V-NAND-minneschip kommer in på marknaden under andra halvåret i år. Senare i år kommer företaget också att lansera ett eUFS-lagringschip (mobil enhet), även baserat på sjätte generationen V-NAND.
Du måste läsa också!
Adata meddelade Gammix S50 PCIe 4.0 XPG SSD-sortiment. Enheten lovar att läsa 5 000 Mb / s
PNY lanserar XLR8 CS2311 SSD: 6 Gb / s SATA-gränssnitt och 4 kapacitetsalternativ
