Một trong những đổi mới chính trong thế giới phần cứng máy tính là sự ra mắt của bộ nhớ RAM đầu tiên với công nghệ DDR5trình bày một đột phá về tốc độ và công suất. Sự tiến hóa này khá rõ ràng trong thanh RAM mới từ SAMSUNGGì Nó có dung lượng 512GBtốc độ gấp đôi và tiêu thụ ít điện năng hơn so với DDR4.
Những tiến bộ công nghệ của công ty trong khu vực đã dẫn đến RAM mới để hoạt động với tốc độ 7.200 Mb / giâyđạt tổng cộng 57,6 GB/ giây tốc độ truyền trên một kênh duy nhất. Ngay cả ở tốc độ rất cao này, SAMSUNG tuyên bố rằng Mức tiêu thụ năng lượng của chip của bạn thấp hơn 13% so với các công nghệ tiền nhiệm.
Một trong những điểm chính của chiếc lược mới này từ SAMSUNG là sự ra đời của công nghệ Cổng kim loại High-K (HKMG), hoặc chất điện môi cao k, giúp chống lại dòng điện rò rỉ tiềm ẩn. Tính mới này được công ty trình bày khá quan trọng, vì các bóng bán dẫn ngày càng nhỏ hơn, khả năng rò rỉ càng trở nên “nguy hiểm” hơn, có thể khiến toàn bộ hoạt động phần cứng không thể thực hiện được.
Tín dụng: Tiết lộ của Samsung
Vì lý do này, gã khổng lồ Hàn Quốc đã thay thế chất cách điện hiện được sử dụng trong ký ức với HKMG, cho phép thu nhỏ và ngưng tụ các thành phần, tạo ra mật độ và hiệu suất cao hơn. Công nghệ tương tự này không phải là mới, công ty trước đây đã sử dụng nó trong các mô-đun bộ nhớ của mình vào năm 2018, được sử dụng trong thẻ video Nvidia Quadro RTX.
Một tài nguyên rất quan trọng khác để xây dựng thanh bộ nhớ RAM này là TSV (xuyên qua silicon, hoặc được gọi là “xuyên qua silicon”) cho phép công ty xếp chồng nhiều mô-đun, đạt đến tích lũy cho đến khi 8 Các lớp RAM 16GBdo đó đạt tổng số 512GB.
Tuy nhiên, sản phẩm này vẫn chưa có sẵn để sử dụng trong gia đình, hiện tại chỉ có ứng dụng siêu máy tính cần dung lượng bộ nhớ nhiều nhất có thể để thực hiện một số xử lý trong máy tính quy mô lớn, máy học và trí tuệ nhân tạo.
Nguồn: Adrenaline, Samsung, Engadget
…..
