Một sự cạnh tranh đòi hỏi một TSMC e Samsung está a todo o gás! Afinal de contas, enquanto a primeira já prepara as linhas de produção de 5nm para a Apple, e as linhas de 7nm + para a AMD e os seus Ryzen 4000 e eleas gráficas RDNA 2, parece que a Samsung está a fazer o tudo por tudo para chegar mais quickamente que a so aos 3nm! Ao fim ao cabo, estamos quase a meio de 2020, ea Samsung já aponta para o lançamento tráng miệng técnica de produção em 2022.
Một siêu phẩm của Samsung quer một TSMC! 3nm já em 2022!
Portanto, apesar de todos os desafios que isto traz, một Samsung está realmente Apoada em oferecer linhas de produção de 3nm em 2022. Mas para isso, é Preiso melhorar um pouco a tecnologia que serve de base aos transístores. É por isso que a Samsung está a trabalhar forte e feio na tecnologia Gate-All-Around FET, que irá trazer muito mais Controllo aos canais dos transístores.
Dito tudo isto, một Samsung decidiu falar hoje um pouco sobre a sua tecnologia Multi Bridge Channel FET para o processo de 3nm, afirmando que irá melhorar a e khuyếtência energygética em 50%, hiệu suất em 30%, ao mesmo tempo que traz um aumento da densidade em 45%. (Em comparação com um processo de 7nm não especificado, será o da TSMC ou o da Samsung?)
Como é que temos todas estas melhorias? Pois bem, além da miniaturização dos transístores, một Samsung também os vais ’empilhar’, de forma a não só diminuir o espaço ocupado, como a performance de todo o ‘pacote’.
Ademais, o que pena sobre tudo isto? Partilhe connosco a sua Região nos comentários em baixo.
Fonte
