Samsung, hãng cũng sản xuất chip cho vi xử lý Snapdragon, đã công bố lộ trình trong quy trình sản xuất vi xử lý 7nm, 5nm và 3nm.
Samsung đã tiết lộ kế hoạch lộ trình của mình cho quy trình sản xuất bộ xử lý 7nm Low Power Plus, 5nm Low Power Early và 3nm Gate-All-Around Early/Plus tại sự kiện Diễn đàn Foundry hàng năm vào tuần trước.
Theo đó, công ty sẽ sử dụng giải pháp in thạch bản EUV lần đầu tiên trong quy trình LPP 7nm và sẽ sẵn sàng đưa vào sản xuất vào nửa cuối năm nay. Việc sản xuất hàng loạt các bộ phận trong quy trình mới sẽ bắt đầu vào nửa đầu năm 2019.
Chip LPE 5nm của Samsung sẽ cực kỳ tiết kiệm điện và sẽ là chip cuối cùng sử dụng FinFET. Sau đó, quy trình 4nm Low Power Early/Plus sẽ bắt đầu. Những con chip này sẽ có kích thước nhỏ hơn rất nhiều nhưng hiệu năng lại cao.
Theo các báo cáo trước đó, Samsung sẽ sản xuất chip cho nền tảng di động Snapdragon 855 với tiến trình 7nm. Những con chip được đề cập cũng là chiếc điện thoại kỷ niệm 10 năm thành lập của Samsung. Galaxy Nó sẽ cung cấp năng lượng cho S10.
Samsung sẽ sử dụng kiến trúc MBCFE thế hệ tiếp theo của GAA từ quy trình 3nm. Quá trình sản xuất 3nm dự kiến sẽ không bắt đầu trước năm 2022. Chip 3nm sẽ là bộ xử lý có hiệu suất cao nhất và tiêu thụ điện năng thấp nhất từ trước đến nay.
Nguồn: https://www.phonearena.com/news/Samsung-has-a-roadmap-take-it-to-3nm-process_id105236
