Các nhà sản xuất chất bán dẫn hiện đang trong cuộc chạy đua để tìm ra 3 nm của thị trường, với SAMSUNG có thể giành chiến thắng trong cuộc thi này. Điều này là do, theo thông tin được công bố, gã khổng lồ Hàn Quốc nên vượt qua TSMC và bắt đầu sản xuất quy trình mới của bạn vào tuần tới.
Nút mới này của công ty sẽ giảm khoảng 35% diện tích, có Hiệu suất cao hơn 30% và tiêu thụ điện năng ít hơn 50% đó là nút của 5 công ty nm, được sử dụng trong Exynos 2100 và không Snapdragon 888.
Những tiến bộ của quy trình mới của SAMSUNG là kết quả của việc công ty thay đổi thiết kế của các bóng bán dẫn thành Gate-All-Around (GAA). Đây là sự phát triển được mong đợi sau FinFET và như đã chỉ ra, sẽ cho phép xưởng đúc lựa chọn các bóng bán dẫn mà không ảnh hưởng đến khả năng mang dòng điện của chip.
Tín dụng: Phát lại / GSMArena
Quá trình sản xuất chất bán dẫn mới của gã khổng lồ Hàn Quốc sẽ diễn ra ở nhà máy mới cô ấy đang xây dựng ở Texas, ban đầu trị giá 10 tỷ đô la nhưng công ty đã đầu tư nhiều hơn vào việc lắp đặt và chi tổng cộng 17 tỷ đô la. Gần đây, Tổng thống Hoa Kỳ Joe Biden đã đến các cơ sở của công ty ở Pyeongtaek, Hàn Quốc, để trình diễn công nghệ sẽ được phát triển ở đất nước của ông.
Một trong những vấn đề lớn với chất bán dẫn của công ty là năng suất của chúng, với cảnh báo của nhà sản xuất vào tháng 10 rằng 3 nm đang “đạt đến mức tương tự như quy trình 4nm.” Nhưng, như đã được nhắc nhở bởi, nút của 4 nm của công ty đã trình bày một số vấn đề về hiệu suất, bao gồm cả việc buộc Qualcomm thay đổi thiết kế của Snapdragon 8 + gen 1 đến nút của TSMC.
Theo lịch trình chính thức của SAMSUNG nó đã lên kế hoạch cho các chất bán dẫn trong tương lai của mình, với một phiên bản nút thế hệ thứ hai 3 nm được phát triển vào năm tới. Vào năm 2025, nhà sản xuất cũng dự định khởi động quá trình 2 nm, sẽ có sự cải tiến từ thiết kế GAAFET sang MBCFET.
Nguồn: GSMArena, Yonhap News
…..
