Samsung Electronics đã phát hành bộ nhớ tốc độ cao thế hệ thứ ba HBM2E. Mô-đun này được gọi là Flashbolt và dành cho siêu máy tính, hệ thống AI và thiết bị liên quan đến xử lý đồ họa.
Theo gã khổng lồ công nghệ Hàn Quốc, bộ nhớ 16GB tự hào có tốc độ truyền dữ liệu 3.2 GBit / s và băng thông 410 GB / s trên mỗi ngăn xếp. Tám mô-đun 16 gigabyte của lớp 10nm (1y), cùng với chip đệm, được kết hợp trong gói HBM2E sử dụng 40.000 TSV (thông qua vias silicon), với mỗi mô-đun có hơn 5600 micropumps.
Các DRAM mới nhất sẽ không chỉ cung cấp dung lượng gấp đôi 8-gigabyte "Aquabolt" HBM2 của thế hệ thứ hai, nhưng sẽ tăng năng suất và hiệu quả năng lượng. Tốc độ tối đa trong quá trình thử nghiệm là 4.2 GBit / s hoặc 538 GB / s trên mỗi ngăn xếp, trong đó 1Nhanh hơn 75 lần so với băng thông của Aquabolt (307 GB / s).
Việc sản xuất nối tiếp HBM2E thế hệ thứ ba sẽ bắt đầu vào nửa đầu năm nay. Tuy nhiên, nhà sản xuất sẽ tiếp tục sản xuất HBM2 thế hệ thứ hai.
