Các nhà nghiên cứu tại Đại học Pennsylvania ở Hoa Kỳ lần đầu tiên đã lập được bản đồ toàn bộ các kết nối điện được tạo ra bởi các chuyển động thần kinh trong não người, với dữ liệu thu được từ các điện cực đặt trực tiếp trong não của khoảng 300 bệnh nhân được giám sát lâm sàng.
Tiếp tục công việc của họ như một phần của dự án “Sửa chữa bộ nhớ chủ động” (RAM), các nhà khoa học thần kinh đã thu thập thông tin từ các bệnh viện ở Hoa Kỳ trong nhiều năm để nghiên cứu.
Một xét nghiệm liên kết tự do đơn giản đã được thực hiện cho các bệnh nhân được giám sát lâm sàng về các chứng rối loạn thần kinh khác nhau.
Những bệnh nhân được hiển thị nhiều từ khác nhau trên màn hình được yêu cầu lặp lại những gì họ nhớ được.
Cố gắng tìm hiểu cách thức các kết nối được tạo ra giữa các phần khác nhau của não trong quá trình ghi nhớ, các nhà khoa học phát hiện ra rằng trong quá trình tái tạo lại ký ức, tức là khi cố gắng ghi nhớ một từ, hoạt động của các tế bào thần kinh mật độ thấp, tốc độ thấp giữa các phần khác nhau của não tăng lên, nhưng hoạt động thần kinh tần số cao lại giảm.
Ethan Solomon, một trong những tác giả của nghiên cứu, đã giải thích những phát hiện của mình như sau:
“Trong nghiên cứu này, chúng tôi nhận thấy rằng kết nối bên ngoài cường độ thấp ở một vùng não xảy ra đồng thời với hoạt động bên trong cường độ cao ở cùng vùng đó. Vì vậy, khi một người bắt đầu hình thành ký ức mới trong tâm trí, hai chức năng sẽ xảy ra đồng thời. Như một vùng cụ thể của não phản ứng với một kích thích, nó đồng thời tham gia vào các vùng khác. Nó bắt đầu tạo ra các kết nối tần số thấp.”
Michael Kahana, nhà nghiên cứu chính của dự án RAM, cho biết việc hiểu rõ các kết nối nơ-ron của não trong quá trình ghi nhớ sẽ là hướng dẫn cho việc sửa chữa trí nhớ bằng các kích thích điện. Kahana nói: “Ở giai đoạn này, chúng ta có thể đặt câu hỏi, chúng ta nên kích thích vùng nào của não từ bên ngoài để sửa chữa và thiết lập lại các kết nối chức năng”. anh ấy nói.
Kết quả nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí “Nature Communications”.
