SK Hynix, nhà sản xuất bộ nhớ Hàn Quốc, hiện dự kiến sẽ tiết lộ cũng như nói chi tiết về tiêu chuẩn bộ nhớ HBM3 mới nhất và nhanh hơn của mình. Về mặt kỹ thuật, bộ nhớ này giống với bộ nhớ 12-Hi HBM3 đã được công bố năm ngoái và mặc dù được cho là có khả năng đạt tốc độ lên tới 896GB/s, SK Hynix nói rằng con số đó chỉ đơn thuần là một “tiêu chuẩn chỉ báo hiệu suất” khác.
Thông tin chi tiết về bộ nhớ mới vẫn còn khan hiếm nhưng điều được xác nhận là buổi thuyết trình và các phiên hỏi đáp sẽ được tổ chức trong Hội nghị Mạch thể rắn quốc tế (ISSCC) dự kiến diễn ra từ ngày 20 tháng 2 đến ngày 24 tháng 2 vào tháng tới. Giống như phiên bản tiền nhiệm, bộ nhớ HBM3 mới dự kiến sẽ là loại DRM 12 lớp, dung lượng 196Gb hoặc 24GB. Cách thức đạt được điều này là thông qua một quy trình có tên là Tự động hiệu chỉnh thông qua Silicon Via (TSV) và tối ưu hóa máy học.
Ngoài bộ nhớ HBM3 cực nhanh mới, Samsung cũng đang có kế hoạch giới thiệu về bộ nhớ T-Coil 27Gbps GDDR6 mới của mình. Đương nhiên, điều đó sẽ làm cho nó nhanh hơn bộ nhớ GDDR6 của Samsung, hiện đang chạy ở tốc độ 24Gbps và hiện đang được lấy mẫu.
(Nguồn: Chương trình nâng cao ISSCC, Card màn hình)
