Samsung já começou a produção em massa de chip eUFS 3.1 de 512GB para ir de encontro à procura de armazenamento de alta velocidade e grande Capacityidade do mundo dos smartphones. Especialmente agora que a Apoa nas câmeras é cada vez mais uma certeza, com a gravação 8K a chegar lentamente aos mais neares topos de gama.
Assim, com một thực sự cần thiết de aumentar một khóa dán do armazenamento dos nossos smartphones, một Samsung Apoou tudo numa nova tecnologia de armazenamento… Que verdade seja dita, ấn tượng!
Armazenamento eUFS 3.1 da Samsung oferece hiệu suất gấp 3 lần mais!
Portanto, com o novo armazenamento Universal Flash Storage 3.1 (UFS 3.1), Samsung é capaz de ultrapassar a marca da velocidade de escrita de 1GB / s, o que é nada mais nada menos que um aumento de 300% em relação à atual memória eUFS 3.0.
Aliás, một Samsung afirma que esta nova tecnologia de armazenamento irá tẩy loại bỏ todo e Qualquer hàng cổ chai như người chế tạo có thể giới hạn một hiệu suất dos seus aparelhos. Ora leia:
“Com uma velocidade de escrita sequencial de 1200 MB/ s, chip hệ điều hành de armazenamento eUFS 3.1 da Samsung (512GB) oferecem o dobro da performance dos atuais SSD SATA III para PC (540 MB/NS). Bem como cerca de 10x a performance dos cartões microSD UHS-I (90 MB/NS)”
Curiosamente, một Samsung está na vanguarda desta tecnologia! Ao fim ao cabo, acabou de lançar um dos primeiros smartphones capazes de gravar Conteúdo de vídeo 8K, na forma dos novos Galaxy S20.
No entanto, é provável que o grande objetivo da Fabricante não seja Guardar esta tecnologia apenas para si, visto existir mais dinheiro na venda destes cấu thành một outras Fabricantes. Especialmente quando é muito provável que a grande maioria dos smartphones de gama alta de 2020 tragam esta needidade de velocidade para cima da mesa.
Entretanto, também é esperado que a Samsung comercialize armazenamento eUFS 3.1 Dung lượng nas de 256GB e 128GB, para quem não quer pagar o preço ‘Premium’.
Ademais, o que pena sobre tudo isto? Partilhe connosco a sua Região nos comentários em baixo.
Fonte
